A Chipworks már múlt hét elején szétszedte az iPhone 5s-t, azonban csak később sikerült tranzisztor-szintű fotót készíteni a chipről. Ebből pedig érdekes dolgok derültek ki.
Amit tudunk a SoC-ről:
- az A7 28 nanométeres eljárással készült
- a gyártó a Samsung, a gyártásnál ugyanazt az eljárást (Hi K metal Gate) alkalmazták, mint a nyolcmagos Samsung Exynos 5410 esetében, ami a Galaxy-sorozat csúcsában (S4) található
- a tranzisztorok közötti távolság 114 nanométer, szemben az A6 123 nanométerével
- az M7 mozgásérzékelőkre specializált segédprocesszor egy ARM Cortex-M3 microkontroller. Ez az információkat egy Bosch Sensortech BMA220 gyorsulásérzékelőtől, egy STMicroelectronics giroszkóptól és egy AKM AK8963 magnetométertől kapja
- a grafikus vezérlő négymagos
- különleges ismertetőjele az A7-nek, hogy egy korábban nem látott, viszonylag nagy területet elfoglaló SRAM is helyet kapott rajta. Ez körülbelül 3 megabájtos, és valószínűleg az ujjlenyomattal kapcsolatos információkat tárolja. Kicsit nagyobb területet foglal el, mint amit a bemutató videón láttunk:
Itt meg néhány összehasonlító táblázat az A7 teljesítményével kapcsolatban, a versenytársak (meg a vele sokszor inkább pariban lévő z3770-es Atom) pontszámaival összevetve, via Anandtech:
A bejegyzés trackback címe:
Kommentek:
A hozzászólások a vonatkozó jogszabályok értelmében felhasználói tartalomnak minősülnek, értük a szolgáltatás technikai üzemeltetője semmilyen felelősséget nem vállal, azokat nem ellenőrzi. Kifogás esetén forduljon a blog szerkesztőjéhez. Részletek a Felhasználási feltételekben és az adatvédelmi tájékoztatóban.